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*シナプス後電位&size(16){(postsynaptic potential : PSP)}; [#n20cc8b1] [[シナプス前細胞]]([[シナプス後膜]])に対する電気刺激によって発生する[[膜電位]]の変化。((生理学の基礎:神経伝達と神経修飾 東京大学大学院理学系研究科生物科学専攻・生体情報学研究室 岡良隆: http://www.bs.s.u-tokyo.ac.jp/~naibunpi/Oka/2005Summer_Seminar.pdf)) -[[興奮性シナプス後電位]]([[EPSP]]、[[脱分極]]) -[[抑制性シナプス後電位]]([[IPSP]]、[[過分極]]) [[シナプス]]の[[受容体]]に結合する[[神経伝達物質]]の種類によって、発生する[[膜電位]]は以下の種類に分けられる。((玉川大学工学部 学習・記憶システム研究室 興奮の伝達とシナプス後電位: http://www.tamagawa.ac.jp/teachers/aihara/dentatsu.html))
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*シナプス後電位&size(16){(postsynaptic potential : PSP)}; [#n20cc8b1] [[シナプス前細胞]]([[シナプス後膜]])に対する電気刺激によって発生する[[膜電位]]の変化。((生理学の基礎:神経伝達と神経修飾 東京大学大学院理学系研究科生物科学専攻・生体情報学研究室 岡良隆: http://www.bs.s.u-tokyo.ac.jp/~naibunpi/Oka/2005Summer_Seminar.pdf)) -[[興奮性シナプス後電位]]([[EPSP]]、[[脱分極]]) -[[抑制性シナプス後電位]]([[IPSP]]、[[過分極]]) [[シナプス]]の[[受容体]]に結合する[[神経伝達物質]]の種類によって、発生する[[膜電位]]は以下の種類に分けられる。((玉川大学工学部 学習・記憶システム研究室 興奮の伝達とシナプス後電位: http://www.tamagawa.ac.jp/teachers/aihara/dentatsu.html))
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